1. 經濟部兼任科技顧問 (2007)
2. 成功大學尖端光電科技中心主任（2006－迄今）
3. Chair, TC-4 Nano-optics, Nano-optoelectronics, and Nano-photonics, IEEE Nanotechnology Council
4. 廈門大學榮譽教授（2003）
5. IEEE Electron Devices Society 台灣分會副主席 (2001-迄今)
6. 電子材料元件協會理事長（2001-2003）
7. 國立成功大學教務長（2001－2007年1月）
8. 行政院國家科學委員會工程技術發展處處長（1998－2001）
9. 中國長春光學精密機械學院名譽教授（1997－迄今）
10. 成功大學研究發展處研發長（1995－1998）
11. 成功大學工學院副院長（1993－1995）
12. 德國Stuttgart 大學物理研究所客座教授（1993）
13. 美國紐約州立大學（SUNY）Binghamton 校區Adjunct Professor（1991－1997）
14. 成功大學電機工程學系系主任暨研究所所長（1989－1993）
15. 國家科學委員會工程科技推展中心主任（1987－1989）
16. 美國AT&T，Bell Laboratories 研究員（MTS）（1986－1987）
17. 成功大學電機工程學系暨研究所教授（1983－Present）
18. 成功大學電機工程學系電機工廠主任（1980－1984）
19. 成功大學電機工程學系暨研究所副教授（1979－1983）
20. 美國南加州大學電機工程研究所訪問研究（1979－1980）

1. 半導體工程與元件。
2. 光電子元件與系統。
3. 微波元件與積體電路。

1. 國科會96年度科學專業獎章（2007）
2. IEEE Fellow ─ Institute of Electrical and Electronics Engineers (2007-)
3. 中華民國光學工程學會工程獎章（2005）
4. 財團法人徐有庠先生紀念基金會科技講座（2004）
5. 廈門大學榮譽教授（2003）
6. 李國鼎榮譽學者獎（2002）
7. 國立成功大學講座教授（2001）
8. The Millennium Medal, The Who’s Who Institute（2001）
9. 中華民國中山學術文化基金會中山學術著作獎（2000）
10. 東元科技文教基金會第七屆東元科技獎-電機類（2000）
11. 侯金堆文教基金會傑出榮譽獎（1999）
12. 亞太材料學會院士（1998）
13. 中國電機工程學會電機工程獎章（1998）
14. 中國電機工程學會傑出電機工程教授獎（1997）
15. Outstanding Achievement in the Field of Electrical Engineering by International Biographical Center, Cambridge, England（1996）
16. The 20th Century Award for Achievement by International Biographical Center, Cambridge, England（1996）
17. Who’s Who in Science and Technology by Marquis Who’s Who TM（1996）
18. 國科會特約研究人員（1996－2002）
19. 國科會傑出研究獎（1994－1996）
20. 中國工程師學會傑出工程教授（1995）
21. 教育部教學特優獎（1992）
22. 國科會傑出研究獎（1990－1992）
23. 國科會傑出研究獎（1988－1990）
24. 國科會傑出研究獎（1986－1988）
25. 中國工程師學會優秀青年工程師（1980）
26. 台南市優秀青年接受表揚（1975）
27. 中國電機工程學會論文獎第一名（1973）

1. "發光二極體之應用水上集魚燈",白光LED照明技術與策略研討會,台中惠蓀林場，台灣, July 20-21, 2007
2. "Ultra High Power Light-Emitting Diodes by Copper Electroplating and High Thermal Dissipation" 「2007台灣固態照明國際研討會」（Taiwan Solid State Lighting ,tSSL) ,台北國際會中心, Taiwan, Jun 15-16, 2007
3. 中國科學院半導體研究所參訪演講, 北京, 中國大陸, Mach 27-31, 2007
4. 武漢理工大學參訪演講,武漢,中國大陸, Mach 22-26, 2007
5. "Electrostatic Discharge Engineering of Nitride-Based Light Emitting Diodes", 3rd Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors (APWS-2007), Jeonju Core Rivera Hotel, Jeonju(Chonju), Korea, March 11, 2007
6. "Gallium Nitride-based Light Emitting Diodes", The 11th Optoelectronics and Communications Conference (OECC 2006), Kaohsiung City, Taiwan, July 3, 2006
7. "Optoelectronic Applications of InGaAs(N) Alloys", 第八屆兩岸光電子學術研討會, 山西太原，中國大陸, June 25, 2006
8. "Gallium Nitride-based Light Emitting Diodes", ABU DHABI e-Government Project Meeting, Abu Dhabi, United Arab Emirates, March 3, 2006
9. "The Current and Future Prospects of Taiwan’s Optoelectronic Industry in the Twentieth-First Century", Second Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors (APWS 2005), Hsinchu, Taiwan, March 7,2005.
10. "Gallium Nitride-based Quantum Well and Quantum Dot Optoelectronic Devices", 2006 1st IEEE International Conference on Nano/Micro Engineered and Molecular Systems (1st IEEE-NEMS), Zhuhai, China, Jan. 18, 2005
11. "High Efficiency of GaN-Based Light Emitting Diodes", Photonics Conference (PC 2004), Chon-Buk, Korea, Nov. 2-5 (2004)
12. "Fabrication and Application of GaN-Based Quantum Devices", International Symposium on Molecular Nano-Engineering and its Development into Microsystems Semiconductor Nanotechnology (COE), Waseda University, Tokyo, Japan, Dec. 20-21（2004）
13. "Blue,Green and White Light LED Grown by Metal Organic Chemical Vapor Deposition", First Asia-Pacific Widegap Semiconductor Conference, Awaji Shima., Japan, Mar. 9-12（2003）
14. "Prospects for Research on Si Single Electron Device", International Symposium on the Physics of Semiconductor and Applications (ISPSA), Cheju, Korea, Aug. 20-23 (2002)
15. "High Efficiency of Blue GaN Light Emitting Diodes", Ninth Canadian Semiconductor Technology Conference, Ottawa, Canada, Aug 10-14 (2001)
16. "The Trend of Microelectromechanical System (MEMS)", International MEMS Conference, Ottawa, Canada, Aug 14-15 (2001)
17. "Quantum Efficiency in Organic Light Emitting Diode", International Conference on Optoelectronics－LED: Research, Manufacturing and Applications, San Jose, CA, Jan 19-26 (2001)
18. "642-nm AlGaInP Laser Diodes with a Triple Tensile Strain Barrier", Photonics-2000, International Conference on Fiber Optics and Photonics, Calcutta, India, Dec.18-20 (2000)
19. "Temperature-Dependent Electroluminescence and Quantum Efficiency of Organic Light Emitting Diodes", International Electron Device and Material Symposium, Taipei, Dec. 12-15 (2000)
20. "Fabrication of Gallium Nitride-Based Multiple Quantum Well Light Emitting Diodes", The Sixth IUMRS International Conference on Advanced Materials, Hong Kong, July 24-26 (2000)
21. "GaInP/AlGaInP Visible Quantum-Well Lasers with Low Beam Divergence and Low Threshold Current", International Conference on the Application of Photonics Technology, Quebec, Canada, June 12-16 (2000)
22. "High Performance GaN-Based Light Emitting Diodes", Conference, European Materials Research Society Conference, Strasbourg, France, May 28-June 2 (2000)
23. "Optical Propertics in InGaN/GaN Multiple Quantum Wells and Blue LEDs", Eighth Canadian Semiconductor Technology Conference, Ottawa, Canada, Aug 11-13 (1999)
24. "Optical Propertics in InGaN/GaN Multiple Quantum Wells and Blue LEDs", The Fifth IUMRS International Conference on Advanced Materials, Beijing, China, June 13-18 (1999)
25. "Interband and Intersubband Transitions of InGaSb/GaSb Multiple Quantum-Well Photodetectors", International Conference on Intersubband Transitions in Quantum Wells-Physics and Applications（ITQW’97）, Tainan, Taiwan, May 2-6（1997）
26. "TnGaSb/GaSb Strained-Layer Superlattice of Two-Mode Infrared Photodetectors", International Symposium on Optoelectronics, Computer, Communication and Control, Hsinchu, Taiwan, Sep. 12-16（1993）
27. "Stoichiometric Properties of GaSb Compounds Grown by Low Temperature MOCVD", First Rim Conference on Advanced, Materials, Hangzhou, China, June 13-16（1992）
28. "The Growth Mechanisms and Stoichiometric Properties of GaSb Compound Grown by MOCVD", International Conference on Advanced Materials, E-MRS, Strasbourg, France, May 28-31（1991）
29. "Ohmic and Schottky Contacts to GaSb", International Conference on Thin Film and Application, Shanghai, China, Apr. 15-17（1991）
30. "Fabrication of Acousto-Optic Modulators on GaAs Substrates", International Conference on Optoelectronic Science and Engineering, Beijing, China, Aug. 10-14（1990）
31. "The Study of GaSb-Based Compound Semiconductors", Sixth RSR/ROC Binational Symposium, Electronic Materials and Devices, Port Elizabeth, South Africa, July 6-8（1990）

1. SPIE’s Gallium Nitride Materials and Devices III Conference, January 19-24, 2008, San Jose, CA ─Program Committee Member (2008)
2. International Workshop on Nitride Semiconductors, October 22-27, 2006, Kyoto, Japan,─Program Committee(2006)
3. Materials Research Society, 2006 Spring Meeting, San Francisco, Ca., USA April 17 - 21, 2006─ Symposium Organizer (2006)
4. 13th International Conference on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy, May 22-26, 2006. Miyazaki, Japan. ─International Advisory Committee. (2006)
5. The International Symposium on Blue Laser and Light Emitting Diodes(ISBLLED), Montpellier, France. May 15 to 19, 2006.─International Advisory Committee. (2006)
6. The 5th International Symposium on Blue Laser and Light Emitting Diodes (ISBLLED-2004), Gyeongyu, Korea, Mar. 15-29.─Session Chair （2004）
7. Asia-Pacific Widegap Semiconductor Conference, Awaji Shima, Japan－Organization Committee Member（2003）
8. Cross－Strait Nano and Optical Conference, Tainan, Taiwan（2003）－Organization Chairman
9. International Symposium on the Physics of Semiconductor and Applications, Cheju, Korea－Organization Committee Member（2002）
10. Asia-Pacific International Solid State Circuit Conference, Miao-Li, Taiwan ─ Committee Member (2001)
11. Second International Symposium on the Basis and Application of Plasma Technology ─ Kaohsiung, Taiwan (2001)
12. International Conference on Lasers and Electro-Optics (CLEO)/Pacific Rim, Chiba, Japan, July 16-20 (2001)－Technical Program Committee Member
13. International Conference on Electron Devices and Materials, Chunli, Taiwan, Dec 14-16 (2001)－Technical Program Committee Member
14. International Conference on Fiber Optics and Photonics－Session Chairnam, Calcutt, India, De . 18-20 (2000)
15. The Sixth IUMRS International Conference on Advanced materials, Hong Kong, July 24-26 (2000)
16. International Workshop on Nitride Semiconductors, Nagoya, Japan, September 24-27 (2000)－International Advisory Committee
17. "International Optoelectronics Symposium, Taipei, Taiwan, July 26-28 (2000) －Conference Chair
18. The Sixth IUMRS, International Conference on Advanced Materials, Hong Kong, July 24-26 (2000)－Session Chair
19. "Optical Propertics in InGaN/GaN Multiple Quantum Wells and Blue LEDs", The Fifth IUMRS International Conference on Advanced Materials, Beijing, China, June 13-18 (1999)－Symposium Organizer and Session Chair
20. International Electron Device and Materials Symposium, Tainan, Taiwan, Dec. 12-16（1998）－Organization Chairman
21. Trans-Pacific Workshops on Mechatronic Technology CA, USA, Aug. 6-10 (1998)－International Steering Committee
22. SPIE: Optoelectronics in China, Beijing, China, July 12-16 (1998)－Organization Chairman
23. SPIE: Optoelectronic Materials and Devices Vol. 3419, July 8-12（1998）－Chairman and Editor
24. "Interband and Intersubband Transitions of InGaSb/GaSb Multiple Quantum-Well Photodetectors", International Conference on Intersubband Transitions in Quantum Wells-Physics and Applications（ITQW’97）, Tainan, Taiwan, May 2-6（1997）－Organization Chairman
25. SPIE International Symposium on Lasers, Optoelectronics, and Microphotonics, Beijing China（1996）－Organization Member
26. The 1994 international Conference on Electronic Materials, Hsinchu, Taiwan, July 6-10（1994）－Symposium Organizers and Section Chairman
27. "TnGaSb/GaSb Strained-Layer Superlattice of Two-Mode Infrared Photodetectors", International Symposium on Optoelectronics, Computer, Communication and Control, Hsinchu, Taiwan, Sep. 12-16（1993）－Organization Member
28. "Stoichiometric Properties of GaSb Compounds Grown by Low Temperature MOCVD", First Rim Conference on Advanced, Materials, Hangzhou, China, June 13-16（1992）－Session Chairman
29. "Ohmic and Schottky Contacts to GaSb", International Conference on Thin Film and Application, Shanghai, China, Apr. 15-17（1991）－Session Chairman
30. "Fabrication of Acousto-Optic Modulators on GaAs Substrates", International Conference on Optoelectronic Science and Engineering, Beijing, China, Aug. 10-14（1990）－International Technical Committee Member

美國

1. 095-039BP/"METHOD FOR MANUFACTURING HEAT SINK OF SEMICONDUCTOR DEVICE" －US patent (2006申請中)
2. 095-038BP/"EMBEDDED METAL HEAT SINK FOR SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME"－US patent (2006申請中)
3. "Lateral current blocking light emitting diode and method of making the same"－US patent(invention No.6781147)－2003
4. "II-VI族半導體之歐姆接觸構造及其製作方法"－US patent (Invention No.6,469,319)-2001
5. "Two-Mode InGaSb/GaSb Strained-Layer Superlattice Infrared Photodetector"－U.S. patent (Invention No. 6,037,604)－March 14, 2000
6. "InAs-GaSb Superlattice Structure Infrared Detectors Fabricated by Organic Vapor Phase Epitaxy"– U.S. patent (Invention No. 6,005,259) – Dec. 21, 1999
7. "Red Semiconductor Laser of Low Beam Divergence" – U.S. patent (Invention No. 5,923,689) – July 13, 1999
8. "High Efficiency InGaP NIP Solar Cell" – U.S. patent (Invention No. 5,911,839) – June 15, 1999
9. "A Multi – Peak Resonant Tunneling Diode - Based Electronic Circuit and Large Signal Multi – Peak Resonant Tunneling Diode SPICE Model" – U.S. patent (Invention No. 5,535,146) – Apr. 27, 1995

日本

1. 095-039BP/"半導體元件之散熱座的製造方法"Japen patent (2006申請中)

台灣

1. 095/038BP/"半導體元件之嵌入式金屬散熱座及其製造方法" －ROC patent (2006 申請中)
2. 095-039BP/"半導體元件之散熱座的製造方法" －ROC patent (2006 申請中)
3. "一種具有橢圓函數響應之介質濾波器"－ROC patent (M301415) 申請日期：2006/05/08、公開日期:2006/11/21、專利期限:2006/11/21-2016/05/07
4. "具有奈米金屬粒子儲存單元之非揮發性記憶體單元的構造"－ ROC patent (新型M312769)申請日期：2006/08/14、公開日期：2007/05/21 專利期限：2007/05/21 - 2016/08/13
5. "共面波導式超寬頻濾波器"－ROC patent (申請中)
6. "具步階阻抗共振器之髮型寬頻濾波器"－ROC patent (新型M311185)申請日期:2006/08/14、公開日期:2007/05/01專利期限：2007/05/01 - 2016/08/13
7. "具混附波壓抑之髮夾型寬頻濾波器"－ROC patent (新型M311129)申請日期:2006/08/14、公開日期:2007/05/01專利期限：2007/05/01 - 2016/08/13
8. "髮夾型寬頻雙工器"－ROC patent (新型M311130)申請日期:2006/08/31、公開日期:2007/05/01專利期限：2007/05/01 - 2016/08/30
9. "共面波導式饋入之多角形寬頻天線"－ROC patent (申請中)
10. "複數枝路之寬頻天線"－ROC patent (申請中)
11. "微帶線饋入之橢圓形超寬頻天線"－ROC patent (申請中)
12. "超寬頻雙工器"－ROC patent (Invention No.95124788)
13. "具指插式步階阻抗共振器之寬頻濾波器"－ROC patent (Invention No.95124787)
14. "一種具有缺陷接地結構之平面式濾波器"－ROC patent (新型 Invention No.M 304165) –Nov 21, 2006 申請日期:2006/05/15、公開日期:2007/01/01專利期限：2007/01/01 - 2016/05/14
15. "一種奈米金屬粒子誘發低溫多晶矽的製程方法"－ROC patent (Invention No.I 267123) –Nov 21, 2006、公開日期: 2006/11/21 專利期限：2006/11/21 - 2025/08/21
16. "一種具有埋藏式元件之寬止帶濾波器"－ROC patent (Invention No.M 300375) –Nov 1, 2006、申請日期:2006/05/08、專利期限：2006/11/01 - 2016/05/07
17. "具寬止帶且快速衰減之超寬頻濾波器"－ROC patent (Invention No.M 300376) –申請日期:2006/05/08、公開日期:Nov 1, 2006
18. "具混附液壓抑之超寬頻濾波器"－ROC patent (Invention No.M 300377) –申請日期:2006/05/15、公開日期:Nov 1, 2006、專利期限：2006/11/01 - 2016/05/14
19. 光檢測器及其製造方法"－ROC patent (發明I281267 )申請日期:2005/04/07、公開日期:2007/05/11、專利期限: 2007/05/11 - 2025/04/06
20. "一種低溫多晶矽的製程方法"－ROC patent (Invention No.M 263341) –Oct. 10, 2006、申請日期:2005/08/23、專利期限: 2006/10/01 - 2025/08/22
21. "具有指插式耦合線之超寬頻濾波器"－ROC patent (Invention No.M 295345) –Aug 1, 2006、申請日期:2006/02/03、專利期限: 2006/08/01 - 2016/02/02
22. "具止帶快速衰減之超寬頻濾波器"－ROC patent (Invention No.M 295346) –Aug 1, 2006、申請日期:2006/02/03、專利期限:2006/11/01 - 2016/05/07
23. "發光二極體之製造方法" －ROC patent (發明I268003)－申請日期: 2005/12/20、公開日期:2006/12/01、專利期限: 2006/12/01 - 2025/12/19
24. "一種磊晶片乘載器結構改良"－ROC patent (Invention No. 186781) –Jan 21, 2002
25. "一種水冷式雙層毛細管之氣體噴頭結構改良"－ROC patent (Invention No. 180792) –Sep 1, 2001
26. 氮化鎵金屬－半導體－金屬型紫外光感測器之結構及其製造方法－ROC patent (Invention No. 169681)－December 21, 2002
27. 橫向電流阻障發光二極體及其製造方法－ROC patent (Invention No. 122756)－November 12, 2002、公告日期: 2004/10/21專利期限: 2004/10/21 - 2022/11/11
28. "氮化鎵金氧半場效電晶體之製造方法"－ROC patent (Invention No. 169680)－December 21, 2002
29. "低雜訊遠紅外線汞鎘碲(HgCdTe)光偵測器及其製造方法"－ROC patent (Invention No.120926) –September 21, 2000
30. "多峰共振穿透二極體大信號模擬電路"－ROC patent (Invention No. 160174), 2000
31. "The InAs/GaSb Superlattice Infrared Detector by MOCVD System" –ROC patent (Invention No. 104113) – May 21, 1999
32. "Low Divergence Beam Angle of Red Semiconductor Laser" – ROC paent (Invention No. 101681) – Feb. 11, 1999
33. "高效率磷化鎵銦NIP太陽電池"－ROC patent (Invention No. 130666)－Nov. 21, 1997
34. "Double Frequency GaInSb Strained Layer Superlattice" – ROC patent (Invention No. 67602) – July 5, 1995
35. "以有機金屬氣相磊晶法製作砷化銦/銻化鎵超晶格紅外線檢測器之製法"-ROC patent (Invention No.00358876) 、申請日期: 1997/02/17、公開日期:1999/05/21 專利期限: 1999/05/21 - 2017/02/16
36. "雙頻銻化銦鎵應力層超晶格選頻器"-ROC patent (Invention No.00229334)、申請日期: 1994/04/01、公開日期:1994/09/01、專利期限:1994/09/01 - 2014/03/31

韓國

1. 095-038BP/"EMBEDDED METAL HEAT SINK FOR SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME" – Korea patent (2006申請中)

大陸

1. "半導體元件之散熱座的製造方法" –China patent (2006申請中) (2) "半導體元件之嵌入式金屬散熱座及其製造方法" –China patent (2006申請中)

德國

1. "金屬散熱座及其製造方法"－Germany patent (2007申請) (2) "半導體元件之散熱座的製造方法"－ Germany patent (2007申請)

1. 中華民國電子材料暨元件協會理事（1994－迄今）
2. 中國電機工程學會總幹事（2000-2003）
3. IEEE Electron Device Society, 台灣分會副主席（2001-迄今）
4. 中華民國貝爾協會理事（1994－迄今）
5. 中華民國光學工程學會學術委員（1994－迄今）
6. 中國工程師學會聘請之海峽兩岸電機學術產業發展促進委員會委員（1994－迄今）
7. 中國材料科學學會國際期刊編輯委員會學術委員（1993－迄今）
8. 中國工程師學會高雄分會理事（1992－迄今）
9. 中國電機工程學會高雄分會理事（1992－迄今）
10. 中國工程師學會獎勵十大傑出工程師評選作業小組電機分組委員（1992－迄今）
11. 中華民國光學工程學會會員（1991－迄今）
12. 美國Materials Research Society 學會Member（1991－迄今）
13. 美國IEEE學會Senior Member（1990－迄今）
14. 美國Electrochemical Society 學會Active Member（1989－迄今）
15. 美國SPIE光電工程學會Member（1989－迄今）
16. 中華民國真空學會永久會員（1987－迄今）
17. 中國工程師學會青年勵進會委員（1980－迄今）
18. 中國工程師學會永久會員（1979－迄今）
19. 中國電機工程學會永久會員（1979－迄今）
20. Phi-Tan-Phi榮譽會員（1979－迄今）
21. 中華民國電機工程學會論文委員會委員（1995－1998）
22. 教育部1997年度大學院校評鑑委員（1997）
23. 教育部技術學院暨專科學校評鑑委員電子科召集人（1990、1993、1997）
24. 中國電機工程學刊編輯委員（1995－1997）
25. 中華民國真空科技學會理事（1995－1997）
26. 中國工程學刊編輯委員兼電子組召集人（1993－1995）
27. 中國工程學刊編輯委員兼電機組召集人（1990－1993）
28. 中央標準局專任審查委員（1990－1993）

1. 在GaN材料及元件有深入研究，至今已發表一百多篇相關國際期刊論文，在藍光、綠光及白光LED之研究已居國際領先地位，並將技術移轉國內廠商作大量生產。
2. 於2002年拿到教育部卓越計畫「南台灣光電卓越研究中心─高容量光通訊網路用前瞻性技術」三年總經費約一億元，帶領研究團隊作有關光纖通訊元件、模組及系統之研究。
3. 研製成功特性良好之GaN藍光綠光及白光發光二極體。藍光LED由於在全彩色、多功能影音光碟機(DVD)及白光光源上之應用，愈來愈受注意；但因製造技術之困難，商品上仍不多見。我們利用MOVCD技術，研究各磊晶層長晶特性，改善P型結構降低歐姆接觸，並研究特殊結構，開發成功多量子井InGaN/GaN發光二極體，發光波長在460nm，在20mA電流（電壓小於3V）下，發光功率為5mw以上。又利用藍光LED研製成功白光LED，在國內居於領先地位，且與產業界密切結合，轉移技術至產業界，目前國內光電半導體產業蓬勃發展，且多以兩位數成長。
4. 研製成功特性良好之ZnSe藍、綠光發光二極體，研發接觸電阻特低材料，並開發高性能ZnSe光檢測器，目前正積極研究白光ZnSe LED中。
5. 應用（1）項中之其中一個MOCVD系統研製成功含銻之化合物（如GaSb、InGaSb及InAsSb等）之磊晶層、量子井和超晶格結構，並研製成功長波長（3-5及8-12μm）光檢測器。目前在此材料及元件之研究領域上，不論在理論的研究或實驗元件之特性上，均居國內外領先地位，並在國際會議上三次榮獲邀請演講（Invited Speaker）及獲得兩項專利。
6. 應用（1）項中之另一個MOCVD系統，成功研製出InGaAIP/InGaP紅光雷射二極體。此研究為本校與新竹科學園區之國聯光電公司及國科會進行的產學合作計劃，並順利完成670nm，30mW紅光雷射二極體的研製。目前國內紅光二極體之晶片大部份由國外（日本、美國）進口，而我們已研製成功高性能的雷射二極體，且國聯光電公司已正式大量生產晶片，此對國內光電科技及經濟發展有莫大的幫助。
7. 自行研究並成功組裝光化學氣相沉積系統（P-CVD，Photo Chemical Vapor Deposition），用於成長高品質及高性能之Si02及Si3N4薄膜，已分別在Si、GaAs、InP、GaSb、InSb、及HgCdTe磊晶層及基板上成長絕緣層薄膜，其界面能態密度（Interface State Density）已低至10E10/cm2‧eV左右，且進一步研製成功MOSFET之微波元件，頗有學術價值及地位。
8. 分別以MOCVD系統及RF濺射系統研製成功橙色及綠色平面薄膜電激發光顯示器（Planar Thin Film Electroluminencent Display Device），目前已完成大面積之顯示器元件，而且已發表於國際著名期刊十餘篇。
9. 早期以成功地研製1.3μm及1.55μm半導體雷射，可廣泛應用於光纖通訊系統，其結構包括DEB、DCPBH、SIPBH及量子井等，已有多篇論文發表於國際著名期刊。
10. 擔任國科會電信國家型計畫大型研究計劃「個人無線通訊系統」之主持人，集合本校電機研究所相關教授（包括有系統、電路設計及元件專長）進行第三年，申請人除了擔任總計劃主持人外，且負責微波積體電路（MMIC）之研製，已順利研製完成，目前正在接洽台南科學工業園區宏捷科技公司進行產學合作計劃中，已接近成熟階段。
11. 分別以MBE系統及MOCVD系統研製成功負微分電阻元件（Negative Differential Resistance, NDR Device），已有十篇論文發表於IEEE Electron Device, IEEE Electron Device Letter, Solid State Electronics, J. Applied Physics 及其他國際著名期刊，所研究之結構有單量子井，雙量子井共振穿透二極體及能帶間與次能帶間之轉移，在理論及實驗上均已有十分優良的成果，並應用於邏輯電路中，並且於民國82年應德國Stuttgart 大學之邀請，擔任客座教授，並發表一系列有關此專題之演講，此外又獲紐約州立大學（SUNY）應聘為兼任教授，並指導博士研究生 論文。
12. 分別以MOCVD及LPE系統研製異質接面雙極電晶體（HBT）及高電子遷移率晶體（HEMT）及MISFET、MESFET等微波元件，在理論之推導綜合各傳輸理論並且和實驗值作比較。在實驗特性上除了靜態特性之研究外，在RF特性已研製成截止頻率（Cut-off Frequency）為18 GHz 及最高頻率（Maximum Frequency）30 GHz，已有10於篇發表於Solid State Electronics，J. Applied Physics 及Applied Physics Lett. 等國際著名期刊。
13. 至今已發表於國內外著名期刊527篇，國際會議論文340餘篇，且已經在國際會議作專題演講（包括美國、德國、法國、南非、中國大陸及國內）十八次。擔任Organization Chairman、Program Committee Member 或Session Chairman 二十餘次，並應邀在紐約州立大學（SUNY）Binghaton 校區作兼任教授及德國Stuttgart大學作客座教授，講授光電及微波元件，在學術上之成功獲得國內、外之肯定。

1. 與台南科學工業園區元砷科技公司及聯銓公司合作開發GaN藍、綠光及白光發光二極體，目前2家公司都已量產銷售中。
2. 與台南科學工業園區宏捷科技公司合作開發GaAs及InGaAsN HBT元件，應用於無線通訊手目前已量產銷售中。
3. 曾與中華電信公司進行3-5μm雷射二極體之研製，將廣泛應用於環保問題的空氣污染檢測光源及生化血液之檢測（任主持人）。
4. 曾經與工業技術研究院工業材料研究所合作進行InGaP/GaAs紅光LED之研究計劃（任主持人）。
5. 曾經與工業技術研究院光電研究所合作進行InGaAsP/InP量子井雷射之研究計劃（任主持人）。
6. 曾經與工業技術研究院光電研究所合作進行GaAs積體光學之研究計劃（任主持人）。
7. 曾經與交通部電信研究所合作進行GaAs光耦合器之研究計劃（任主持人）。
8. 曾經與交通部電信研究所合作進行InP光電積體電路（OEIC）之研究計劃（任主持人）。
9. 曾經與中山科學研究院三所七組合作進行HgCdTe被覆層之研究計劃（任主持人）。
10. 曾經與工業技術研究院光電研究所合作進行AlGaInP/GaAs LED Window Layer及柵格反射層之研究計劃（與紀國鐘教授為共同主持人）。
11. 曾經與台南勝光公司合作進行新型平面薄膜電激發光顯示器之產學合作計劃（任協同主持人）。
12. 與晶元光電合作開發AlGaInP與GaN LED
13. 與國聯光電合作開發AlGaInP Laser
14. 與勝陽光電合作開發InGaAsN HBT
15. 與馗鼎奈米科技公司合作氮化銦鎵覆晶發光二極體之製作

1. 擔任南部科學園區產業協進會理事並擔任人才培訓委員會主任委員，目前已培訓四期，約培訓二千位員工。
2. 十餘年來，曾經指導過碩士班與博士班研究生超過一百名，畢業後分布於產業界，研究單位及學術界服務，均有優良及傑出表現。
3. 指導大學部學生作國科會暑期研究計劃多名，其中蔡瀚輝同學曾獲得國科會八十年度及八十一年度全國論文獎第一名，鄭旭辰同學曾獲得八十四年度全國論文獎第一名。何佩真同學獲得八十七年度全國論文獎第一名。
4. 指導碩士班研究生獲得中國電機工程學會論文獎，其中莊賦祥獲得七十八年第二名，李念宜獲得七十九年第一名，蘇慶煌獲得八十一年第一名，蔡瀚輝獲得八十四年第一名。
5. 指導碩士班研究生林盈楨獲得中國光學工程學會八十一年度論文獎優等獎。李玟良獲得八十六度論文獎第三名。

1. 擔任國科會工程處處長,推動大型科技研究計畫。制訂國家科技發展政策、審查各部會重大科技方案，並且積極推動學術界與產業界之合作、落實研發成果的轉移。
2. 於「電信國家型計畫」擔任協同主持人及督導推動無線通訊、寬頻網際網路及國家型實驗路計畫，此為我國重大之科技計畫，對於我國發展高枓技有很大幫助。
3. 在成功大學研究發展處擔任研發長期間，積極推動建教合作業務，以及產學合作；並制訂重要的科技政策，對於學校發展建教合作有很大貢獻。
4. 協助國家科學委員會擔任台南科學工業園區「微電子精密機械產業」的召集人，規劃未來台南科學工業園區要引進的產業，到國內、外宣傳，開說明會，成績良好，目前有意願進入台南科學工業園區設廠的廠商已高達一百家，擬投資金額超過新台幣一兆，目前正式通過設廠的廠商有二十九家。
5. 多年來擔任交通部技術評審委員（Technical Review Board，TRB），對於電信研究所長期電信科技之諮詢及提昇有所助益。
6. 應聘為國科會新竹科學工業園區管理局新設廠商申請及關鍵性零組件計劃之評審委員。
7. 應聘為八十年度高雄港務局港務大樓計劃建議書評審委員。
8. 應經濟部專業人員研究中心之聘請擔任「微電腦應用於工業儀器控制研究班」及「電子儀器研究班」擔任課業輔導長規劃所有課程及實驗。
9. 多年來擔任教育部專科學校工業科評審委員，並於八十二及八十六年度擔任電子科評鑑委員召集人。
10. 曾擔任八十二年度教育部主辦「專科學校就業輔導及技職教育建教合作」訪視委員，推動正確的工程技職教育、建教合作計劃，對於工程教育方面有卓越貢獻。
11. 曾在八十二年帶領國內真空科技界企業家及工程師二十餘人，參觀及訪問中國大陸北京、上海及瀋陽共十五家真空系統和零組件製造工廠，推動我國真空科技產業升級。
12. 曾在八十三年奉國科會指示，帶領國內光電學門教授，參觀及訪問日本三所大學，十間光電廠商，對於確定我國光電科技發展方向及規劃有所助益。
13. 曾在八十四年奉國科會指示，帶領台南科學工業園區「微電子精密機械產業」各產業小組召集人前往美國各大城市作園區宣傳及說明會，吸引廠商回國設廠。
14. 在八十五年奉國科會指示，帶領「半導體製程設備」種子教師前往美國Applied Material Co. 及Lam Research Co. 受訓兩星期，以作為未來國內「半導體製程設備」產業發展的種子教師。
15. 在八十五年奉國科會指示，帶領國內各大學教授組成的訪問團，前往英國、德國、比利時及捷克參觀訪問各大學及研究機構，促進學術、文化交流並籌開國際研討會。
16. 在八十六年開始擔任工業局委託半導體人才培訓班召集人。
17. 八十七年至九十年擔任國科會工程技術發展處處長，進行全國工程相關領域高科技之規劃及整合。